凭什么一统存储界？

 
图1：水平赛道结构示意图

2：赛道上存在两个不同的磁畴时，加入控制电流，它们成功地同时进行了位移。

图3：垂直赛道结构示意图：通过将数据记录在一条U型纳米线上，垂直赛道结构能提供高的储存密度。两幅图分别显示
了数据位自左向右经过读写磁头前后的变化

图4：IBM展示的赛道技术样品芯片的X光照片。该芯片包含了256条赛道，每条赛道直径为15～20nm。相比存储界之前也
提到过的一些未来方向，如3D相位储存等略显“科幻”的技术，赛道技术也显得更加亲民与实在。

图5：垂直赛道结构的立体堆叠，组成了基本的赛道阵列。

图6：数据位到达磁头时，磁头对数据位进行读写操作。

图7：磁显微镜下的实验：图片上端是该实验的原理图，赛道的一端加入电流，另一端为0V电位。上8幅图显示在8V（26mA）和14ns的电流脉冲下，用来表示数据的磁畴实现了单向运动。下7幅图显示在-8V的相同条件下，磁畴进行了反方向运动